HY1503C1
HUAYI(华羿微)
DFN3x3-8L
¥0.6804
120
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):34A,导通电阻(RDS(on)):12.5mΩ@4.5V
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HY1503C1
HUAYI(华羿微)
DFN3x3-8L

500+:¥0.6804

150+:¥0.6912

50+:¥0.702

5+:¥0.7181

120

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 34A
导通电阻(RDS(on)) 12.5mΩ@4.5V