HYG180N10LS1C2
HUAYI(华羿微)
PDFN-8(5x6)
¥0.7392
7,175
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):46A,导通电阻(RDS(on)):16.5mΩ@10V,20A
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HYG180N10LS1C2
HUAYI(华羿微)
PDFN-8(5x6)

5000+:¥0.7392

2500+:¥0.7881

500+:¥0.9105

150+:¥1.0938

50+:¥1.2407

5+:¥1.5834

7175

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 46A
导通电阻(RDS(on)) 16.5mΩ@10V,20A