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SI2365EDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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SI2365EDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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TO-236
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3000+:￥0.486 1+:￥0.52 |
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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3000+:￥0.50544 1+:￥0.5408 |
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23+
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硬之城
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威世(VISHAY)
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30000+:￥0.5346 6000+:￥0.5771 3000+:￥0.6075 800+:￥0.8505 200+:￥1.215 10+:￥1.9775 |
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油柑网
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3
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500+:￥0.5922 150+:￥0.7936 50+:￥0.8973 5+:￥1.1392 |
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VISHAY
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京北通宇
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 36 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |