咨询/建议
CSD19538Q2
TI(德州仪器)
WSON-6(2x2)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
CSD19538Q2
|
TI(德州仪器)
|
WSON-6(2x2)
|
100+:￥1.4 30+:￥1.68 10+:￥1.91 1+:￥2.44 |
199 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
CSD19538Q2
|
TI(德州仪器)
|
WSON-6(2x2)
|
3000+:￥1.46041 1000+:￥1.48753 500+:￥1.51465 100+:￥1.54041 10+:￥1.5594 |
62299 |
2522+5
|
现货
|
硬之城
|
|
CSD19538Q2
|
TI(德州仪器)
|
WSON-6(2x2)
|
3000+:￥1.46041 1000+:￥1.48753 500+:￥1.51465 100+:￥1.54041 10+:￥1.5594 |
62299 |
2532+5
|
现货
|
硬之城
|
|
CSD19538Q2
|
Texas Instruments
|
2000+:￥1.1566 500+:￥1.1983 10+:￥1.3025 |
2999 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
|
CSD19538Q2
|
Texas Instruments
|
1000+:￥8.3664 200+:￥8.5905 10+:￥8.8146 |
200 |
-
|
10-12工作日
|
云汉芯城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 59 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5.6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 454 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），20.2W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:3 |