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IRFR320TRPbF
VISHAY(威世)
DPAK(TO-252)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：400 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRFR320TRPbF
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VISHAY(威世)
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DPAK(TO-252)
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1000+:￥1.421 500+:￥1.5092 100+:￥1.666 30+:￥2.06 10+:￥2.35 1+:￥3.02 |
8739 |
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立创商城
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IRFR320TRPBF
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VISHAY(威世)
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TO-252-3
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2000+:￥1.54 1+:￥1.62 |
4569 |
2年内
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圣禾堂
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IRFR320TRPBF
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Vishay(威世)
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥1.6016 1+:￥1.6848 |
4563 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRFR320TRPBF
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威世(VISHAY)
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TO-252
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20000+:￥1.694 4000+:￥1.8288 2000+:￥1.925 500+:￥2.695 200+:￥3.85 10+:￥6.2659 |
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油柑网
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IRFR320TRPBF
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Vishay(威世)
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TO-252
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2000+:￥1.694 1000+:￥1.782 100+:￥2.035 20+:￥2.662 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 400 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），42W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |