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IPD60R180P7SAUMA1
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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IPD60R180P7SAUMA1
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2500+:￥2.67 1+:￥2.79 |
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2500+:￥2.7768 1+:￥2.9016 |
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硬之城
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1000+:￥2.9 500+:￥3.07 100+:￥3.41 30+:￥3.96 10+:￥4.51 1+:￥5.63 |
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252-3(DPAK)
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25000+:￥2.937 5000+:￥3.1706 2500+:￥3.3375 800+:￥4.6725 200+:￥6.675 10+:￥10.8636 |
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1+:￥5.1744 |
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 280µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1081 pF @ 400 V |
| 功率耗散（最大值） | 72W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |