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CSD15380F3
TI(德州仪器)
LGA
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.8V，8V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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TI(德州仪器)
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3-PICOSTAR
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3000+:￥0.322 1+:￥0.345 |
1993 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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CSD15380F3
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TI(德州仪器)
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LGA
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6000+:￥0.3249 3000+:￥0.3463 500+:￥0.3893 150+:￥0.4519 50+:￥0.5249 5+:￥0.6708 |
795 |
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立即发货
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立创商城
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TI(德州仪器)
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LGA
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3000+:￥0.33488 1+:￥0.3588 |
1987 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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德州仪器(TI)
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LGA
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30000+:￥0.3542 6000+:￥0.3824 3000+:￥0.4025 800+:￥0.5635 100+:￥0.805 20+:￥1.3102 |
1993 |
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油柑网
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CSD15380F3
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TI(德州仪器)
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LGA
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3000+:￥0.3651 1000+:￥0.37188 500+:￥0.37866 100+:￥0.3851 10+:￥0.38985 |
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2234
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.8V，8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1190 毫欧 @ 100mA，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.35V @ 2.5µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.281 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10.5 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China External:Taiwan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN External:1 |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:1 |