咨询/建议
ASDM30DN30E-R
ASDsemi(安森德)
PDFN3.3x3.3-8
场效应管(MOSFET)
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
ASDM30DN30E-R
|
ASDsemi(安森德)
|
PDFN3.3x3.3-8
|
5000+:￥0.3787 2500+:￥0.3884 500+:￥0.4274 150+:￥0.4518 50+:￥0.4843 5+:￥0.5493 |
3955 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V |