AOD468
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252
¥2.25
44,138
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):300 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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AOD468
AOS
TO252

2500+:¥2.25

1+:¥2.35

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AOD468
AOS(美国万代)
TO-252-3

2500+:¥2.34

1+:¥2.444

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AOD468
AOS
TO-252-2

25000+:¥2.475

5000+:¥2.6719

2500+:¥2.8125

800+:¥3.9375

200+:¥5.625

10+:¥9.1547

9460

-
AOD468
AOS(美国万代)
TO-252

2500+:¥2.475

1250+:¥2.585

100+:¥2.838

20+:¥3.41

9460

-
3天-15天
AOD468
AOS(万代)
TO-252

500+:¥2.73

100+:¥3.21

20+:¥3.67

1+:¥5.24

5727

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 420 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 16 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 790 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 150W(Tc)
工作温度 -50°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63