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DMN1019USN-7
DIODES(美台)
SC-59
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，2.5V
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厂家型号
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价格(含税)
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DMN1019USN-7
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DIODES(美台)
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SC59
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3000+:￥0.483 1+:￥0.516 |
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圣禾堂
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Diodes(美台)
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SC-59-3
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3000+:￥0.50232 1+:￥0.53664 |
6257 |
2年内
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硬之城
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DMN1019USN-7
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DIODES(美台)
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SC59
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3000+:￥0.5472 1200+:￥0.5528 600+:￥0.5585 50+:￥0.7389 5+:￥0.9495 |
3000 |
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华秋商城
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DMN1019USN-7
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DIODES(美台)
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SC-59
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500+:￥0.5641 150+:￥0.6827 50+:￥0.7778 5+:￥0.9995 |
745 |
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立创商城
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DMN1019USN-7
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Diodes(达尔)
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SC-59-3
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1500+:￥0.5676 200+:￥0.6248 60+:￥0.9064 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，2.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 50.6 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2426 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 680mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |