PMF250XNEX
Nexperia(安世)
SOT-323
¥0.2595
13,175
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
PMF250XNEX
Nexperia(安世)
SOT-323

6000+:¥0.2939

3000+:¥0.3125

500+:¥0.3654

150+:¥0.4205

50+:¥0.484

5+:¥0.611

1100

-
立即发货
PMF250XNEX
Nexperia(安世)
SOT-323-3

3000+:¥0.3428

6000

24+
1-3工作日发货
PMF250XNEX
Nexperia(安世)
SOT-323-3

3000+:¥0.373

1+:¥0.399

2016

24+
立即发货
PMF250XNEX
Nexperia(安世)
SOT-323-3

3000+:¥0.38792

1+:¥0.41496

2015

24+
1-2工作日发货
PMF250XNEX
Nexperia(安世)
SOT323

1500+:¥0.5187

200+:¥0.5694

80+:¥0.6996

2016

-
3天-15天

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 254 毫欧 @ 900mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.65 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 81 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 342mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323