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BSC026N08NS5ATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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BSC026N08NS5ATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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1000+:￥4.24 500+:￥4.41 100+:￥4.8 30+:￥5.66 10+:￥6.43 1+:￥7.83 |
1247 |
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立即发货
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立创商城
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8
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50000+:￥12.4301 10000+:￥13.4188 5000+:￥14.1251 1000+:￥19.7751 300+:￥28.2502 10+:￥43.7878 |
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油柑网
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INFINEON
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PG-TDSON-8
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1+:￥14.8833 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.6 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 115µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 92 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6800 pF @ 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），156W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |