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IPT012N08N5
Infineon(英飞凌)
HSOF-8
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，导通电阻(RDS(on))：1.2mΩ@10V,150A，耗散功率(Pd)：375W
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IPT012N08N5
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Infineon(英飞凌)
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HSOF-8
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2000+:￥6.45 1+:￥6.68 |
3969 |
25+
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圣禾堂
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IPT012N08N5
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Infineon(英飞凌)
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HSOF-8
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1000+:￥6.55 500+:￥6.77 100+:￥7.28 30+:￥8.4 10+:￥9.49 1+:￥11.24 |
2134 |
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立创商城
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IPT012N08N5
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英飞凌(INFINEON)
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PG-HSOF-8-1
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20000+:￥7.2094 4000+:￥7.7829 2000+:￥8.1925 500+:￥11.4695 200+:￥16.385 10+:￥26.6666 |
12000 |
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油柑网
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IPT012N08N5
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Infineon(英飞凌)
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HSOF8
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100+:￥8.61 30+:￥9.94 10+:￥11.23 1+:￥13.3 |
574 |
18+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V,150A |
| 耗散功率(Pd) | 375W |