咨询/建议
FQD3P50TM
onsemi(安森美)
TO-252-2
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
FQD3P50TM
|
onsemi(安森美)
|
TO-252-2
|
1000+:￥3.7521 500+:￥3.9105 100+:￥4.257 30+:￥5.42 10+:￥6.13 1+:￥7.42 |
1868 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
FQD3P50TM
|
安森美(onsemi)
|
TO-252
|
25000+:￥4.972 5000+:￥5.3675 2500+:￥5.65 800+:￥7.91 200+:￥11.3 10+:￥18.3908 |
15000 |
-
|
油柑网
|
|
|
FQD3P50TM
|
ON Semiconductor
|
TO-252AA
|
1000+:￥3.7 500+:￥3.8017 100+:￥4.139 30+:￥4.6002 10+:￥5.3927 1+:￥6.6139 |
4013 |
2520+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
|
FQD3P50TM
|
On Semiconductor/Fairchild
|
TO-252AA
|
20000+:￥3.762 10000+:￥3.828 5000+:￥3.894 2500+:￥4.125 |
5000 |
24+
|
3-6工作日
|
云汉芯城
|
|
FQD3P50TM
|
ON SEMICONDUCTOR
|
TO-252AA
|
7500+:￥3.8043 2500+:￥3.922 |
5000 |
24+
|
1-3工作日
|
云汉芯城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.9 欧姆 @ 1.05A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 23 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 660 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |