DMN601K-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.095
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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SOT23

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Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.0988

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DMN601K-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.1045

6000+:¥0.1129

3000+:¥0.1188

800+:¥0.1663

100+:¥0.2376

20+:¥0.3867

39076

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DIODES(美台)
SOT-23

9000+:¥0.1092

3000+:¥0.1241

600+:¥0.1412

200+:¥0.1697

20+:¥0.221

9280

-
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DMN601K-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23

500+:¥0.1152

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3