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SI7461DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥5.0 1+:￥5.28 |
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圣禾堂
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PowerPAKSO-8
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1000+:￥5.04 500+:￥5.26 100+:￥5.76 30+:￥6.88 10+:￥7.87 1+:￥9.67 |
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Vishay(威世)
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PowerPAK®SO-8
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硬之城
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威世(VISHAY)
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PowerPAK-SO-8
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30000+:￥5.3449 6000+:￥5.7701 3000+:￥6.0738 800+:￥8.5033 200+:￥12.1476 10+:￥19.7702 |
6000 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.5 毫欧 @ 14.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 190 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |