NX3008PBK,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.128
352,192
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
NX3008PBK,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.128

1+:¥0.145

45729

25+
立即发货
NX3008PBK,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.13312

1+:¥0.1508

45724

25+
1-2工作日发货
NX3008PBK,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.14079

55612

25+23+
1-3工作日发货
NX3008PBK,215
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.14079

60899

25+23+19+
1-3工作日发货
NX3008PBK,215
Nexperia(安世)
SOT-23

9000+:¥0.1412

6000+:¥0.1497

3000+:¥0.1669

300+:¥0.1984

100+:¥0.2286

10+:¥0.289

7780

-
立即发货

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 230mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.1 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.72 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 46 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta),1.14W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3