BSS138W
onsemi(安森美)
SOT-323
¥0.37
46,253
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):50 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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BSS138W
ON(安森美)
SC-70(SOT323)

3000+:¥0.37

1+:¥0.396

6799

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BSS138W
ON SEMICONDUCTOR
SC-70

1000+:¥0.3794

100+:¥0.3881

1+:¥0.3969

12673

2407
现货最快4H发
BSS138W
ON(安森美)
SOT-323

3000+:¥0.3848

1+:¥0.41184

6750

24+
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BSS138W
安森美(onsemi)
SOT-323-3

30000+:¥0.407

6000+:¥0.4393

3000+:¥0.4625

800+:¥0.6475

200+:¥0.925

10+:¥1.5055

6758

-
BSS138W
onsemi(安森美)
SOT-323

6000+:¥0.4409

3000+:¥0.4683

500+:¥0.523

150+:¥0.5914

50+:¥0.6826

5+:¥0.865

6015

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 210mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.5 欧姆 @ 220mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 38 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 340mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323