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AO3413A
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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AO3413A
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UMW(友台半导体)
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SOT-23
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3000+:￥0.109 1+:￥0.123 |
5595 |
24+
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圣禾堂
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AO3413A
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UMW(广东友台半导体)
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SOT-23
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3000+:￥0.11336 1+:￥0.12792 |
5591 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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AO3413A
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UMW(友台半导体)
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SOT-23
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9000+:￥0.1265 6000+:￥0.1361 3000+:￥0.1551 300+:￥0.1788 100+:￥0.2105 10+:￥0.2739 |
410 |
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立创商城
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AO3413A
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UMW/友台半导体
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SOT-23，SOT-23-3
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9000+:￥0.1132 6000+:￥0.1152 3000+:￥0.1171 |
180000 |
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5-9工作日
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云汉芯城
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AO3413A
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UMW(友台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.1168 |
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 11 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 745 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |