PMV28UNEAR
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.411796
97,500
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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PMV28UNEAR
Nexperia(安世)
SOT-23

6000+:¥0.4118

3000+:¥0.4376

500+:¥0.5106

150+:¥0.5868

50+:¥0.6745

5+:¥0.8499

1780

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PMV28UNEAR
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.55093

66604

24+15+
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PMV28UNEAR
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.565

1+:¥0.608

9039

24+
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PMV28UNEAR
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.571

6000+:¥0.6165

3000+:¥0.6489

800+:¥0.9085

100+:¥1.2978

20+:¥2.1122

2005

-
PMV28UNEAR
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.5876

1+:¥0.63232

9033

24+
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 32 毫欧 @ 4.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 490 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 510mW(Ta),3.9W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3