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BSZ15DC02KDHXTMA1
Infineon(英飞凌)
TSDSON-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 和 P 沟道互补型，FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.1A，3.2A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 5.1A，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSZ15DC02KDHXTMA1
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英飞凌(INFINEON)
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TSDSON-8-FL
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50000+:￥4.353 10000+:￥4.6993 5000+:￥4.9466 1000+:￥6.9252 300+:￥9.8932 10+:￥16.1012 |
2500 |
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油柑网
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BSZ15DC02KDHXTMA1
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Infineon(英飞凌)
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TSDSON-8
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100+:￥4.58 30+:￥5.41 10+:￥6.14 1+:￥7.48 |
128 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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TSDSON-8
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5000+:￥3.45 1+:￥3.58 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.1A，3.2A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 110µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 419pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |