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2N7002NXBKR
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：270mA（Ta），330mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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2N7002NXBKR
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Nexperia(安世)
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TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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3000+:￥0.077 1+:￥0.0971 |
26653 |
2年内
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圣禾堂
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:￥0.08008 1+:￥0.10098 |
26149 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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21000+:￥0.0979 9000+:￥0.1056 3000+:￥0.12 600+:￥0.1421 200+:￥0.1696 20+:￥0.2193 |
980 |
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立创商城
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NEXPERIA
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SOT23
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1000+:￥0.1129 200+:￥0.1225 1+:￥0.1321 |
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2507
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现货最快4H发
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京北通宇
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2N7002NXBKR
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Nexperia(安世)
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SOT23
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3000+:￥0.1155 1500+:￥0.1457 220+:￥0.2325 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 270mA（Ta），330mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23.6 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta），1.67W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |