ZVP1320FTA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.60944
11,007
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):200 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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ZVP1320FTA
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.586

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SOT-23

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Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.6446

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50+:¥1.0384

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ZVP1320FTA
DIODES INCORPORATED
SOT-23

1+:¥0.688

1752

1933
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ZVP1320FTA
DIODES(美台)
SOT-23

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50+:¥0.725

5+:¥0.7401

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 80 欧姆 @ 50mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3