咨询/建议
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.7W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@4.5V,2.2A，耗散功率(Pd)：1.2W
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.5A（Ta），24A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：2.4Ω@10V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：23mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：55A，导通电阻(RDS(on))：4.8mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：750mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：11A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V,11A
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：220mV @ 50mA，1.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：500 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 6mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：7A；6A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V,6A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V,2A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：36mΩ@10V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：240mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：60V，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V,1.5A，耗散功率(Pd)：3W，阈值电压(Vgs(th))：3V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5.3A，导通电阻(RDS(on))：54mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14.5A（Ta），40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：65A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@4.5V
开关类型：继电器，螺线管驱动器，输出数：7，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：低端，输出类型：NPN
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
可控硅类型：1个双向可控硅，门极触发电压(Vgt)：1.3V，保持电流(Ih)：10mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V,6A
开关类型：继电器，螺线管驱动器，输出数：7，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：低端，输出类型：达林顿晶体管
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：55V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@10V,15A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：22A，导通电阻(RDS(on))：6.8mΩ@10V,14A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.9A（Ta），14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：75 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Ta），235A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Ta），302A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：36A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@10V,36A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：21A，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@10V,10.5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：400V，连续漏极电流(Id)：170mA，导通电阻(RDS(on))：25Ω@0V,120mA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.3A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.3A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V