咨询/建议
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 15mA，150mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：30@5mA,5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：300mW，直流电流增益(hFE)：80@5mA,10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：34mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：180mA，导通电阻(RDS(on))：1.9Ω@10V；2.4Ω@4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：300mΩ@2.5V,500mA，耗散功率(Pd)：100mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：900mA，导通电阻(RDS(on))：320mΩ@1.8V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.9A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：140 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.6A，导通电阻(RDS(on))：73mΩ@4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：1.2Ω@10V,300mA
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：2A，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@2.5V,1A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：200mΩ@4.5V,1.5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：200mΩ@10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：500mW
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V,5.8A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
双向可控硅类型：逻辑 - 灵敏栅极，电压 - 断态：600 V，电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）：1 A，电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）：1.3 V，电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：8A，8.5A
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：38V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@4.5V,20A
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：330mV @ 100mA，1.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：2.4Ω@10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：6A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：1.25W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：5.1A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V,5.1A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V,6A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,18A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：7A，集射极击穿电压(Vceo)：200V，耗散功率(Pd)：2W
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：50 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：14 mA @ 10 V，漏极电流 (Id) - 最大值：14 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1.5 V @ 100 nA
电压 - 断态：200 V，电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）：800 mV，电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）：200 µA，电压 - 通态 (Vtm)（最大值）：1.7 V，电流 - 通态 (It (AV))（最大值）：160 mA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：62mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V,12A，耗散功率(Pd)：60W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1000 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：104A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.4A（Ta），15A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：75 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V，12A，功率 - 最大值：125 W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：140A，导通电阻(RDS(on))：6.2mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：300 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：70A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A