BC848B
华轩阳
SOT-23
¥0.0197
3,300
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):200mW
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BC848B
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

51000+:¥0.0197

24000+:¥0.0211

6000+:¥0.0237

3000+:¥0.0267

500+:¥0.0349

50+:¥0.0439

3300

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BC848B
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
SOT-23

50000+:¥0.0203

30000+:¥0.0209

10000+:¥0.0218

3000+:¥0.03

1000+:¥0.0335

100+:¥0.0356

11024

23+
1工作日
BC848B
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
SOT-23

9000+:¥0.0213

6000+:¥0.0218

3000+:¥0.0222

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 100mA
集射极击穿电压(Vceo) 30V
耗散功率(Pd) 200mW