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不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：3.3mΩ@10V,30A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：21A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：72A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：47A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：120V，连续漏极电流(Id)：230A，导通电阻(RDS(on))：2.8mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：120 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：75A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：380mA，导通电阻(RDS(on))：2.8Ω@10V,500mA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@2.5V,0.3A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 2mA，20mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@10V，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6.3A，导通电阻(RDS(on))：21mΩ@4.5V,6.3A
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：10 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：10 千欧
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.8A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@2.5V,3.5A
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：330mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V,4.9A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@4.5V,2A，耗散功率(Pd)：350mW
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：330mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：550mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：PNP，电压 - 集射极击穿（最大值）：20V，频率 - 跃迁：600MHz，功率 - 最大值：225mW，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 5mA，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@4.5V,20A
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：320mV @ 300mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，导通电阻(RDS(on))：44mΩ@4.5V,5A，阈值电压(Vgs(th))：1.3V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：22.5mΩ@10V,8A
不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.4A，导通电阻(RDS(on))：350mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：370mV @ 300mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：28A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@4.5V,10A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：9mΩ@10V,30A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V
类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：100V，直流电流增益(hFE)：8000，集电极电流(Ic)：5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Ta），63A（Tc），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 20A，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：14A，导通电阻(RDS(on))：9.7mΩ@10V,12A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V