咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：47A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@10V,30A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V,35A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@2.5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.3A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@5V,0.4A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：140mΩ@3.3V,1A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：800mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，1V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：625mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.8A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.4A，导通电阻(RDS(on))：36mΩ@4.5V
可控硅类型：1个双向可控硅，门极触发电压(Vgt)：1.2V，保持电流(Ih)：10mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：49mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.4W
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.75V，5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.9A，导通电阻(RDS(on))：215mΩ@10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：5V，频率 - 跃迁：25GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.1dB @ 1.8GHz，增益：21dB
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：360mA；200mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@4.5V,200mA
通道数：七路，集射击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：500mA，最大输入电压(VI)：30V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：900mA，导通电阻(RDS(on))：650mΩ@10V,800mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：84A，导通电阻(RDS(on))：3.3mΩ@10V,20A
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 6mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：11A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：36mΩ@10V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@4.5V,20A
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V,1.5A，耗散功率(Pd)：3W
FET 类型：2 个 N 通道（半桥），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A，15A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：10.2 毫欧 @ 13A，10V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V,12A，耗散功率(Pd)：2.5W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：38mΩ@10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.5A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 5.8A，10V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA