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BSC015NE2LS5IATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSC015NE2LS5I
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(5x6)
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1000+:￥3.76 500+:￥3.91 100+:￥4.26 30+:￥5.04 10+:￥5.73 1+:￥6.99 |
1488 |
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立即发货
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立创商城
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BSC015NE2LS5IATMA1
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INFINEON
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PG-TDSON-8
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1+:￥4.606 |
253 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSC015NE2LS5IATMA1
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8-6
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30+:￥7.9333 10+:￥9.52 1+:￥14.2799 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 30 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2000 pF @ 12 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |