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FQT7N10LTF
onsemi(安森美)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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FQT7N10LTF
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ON(安森美)
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SOT-223-4
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4000+:￥1.65 1+:￥1.74 |
7603 |
25+
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圣禾堂
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FQT7N10LTF
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ON(安森美)
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SOT-223-4
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4000+:￥1.716 1+:￥1.8096 |
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25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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FQT7N10LTF
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安森美(onsemi)
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SOT-223-4
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40000+:￥1.815 8000+:￥1.9594 4000+:￥2.0625 1000+:￥2.8875 300+:￥4.125 10+:￥6.7134 |
7053 |
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油柑网
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FQT7N10LTF
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ON(安森美)
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SOT-223-4
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4000+:￥1.815 2000+:￥1.914 1000+:￥2.024 100+:￥2.266 20+:￥2.838 |
7053 |
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3天-15天
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唯样商城
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FQT7N10LTF
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onsemi(安森美)
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SOT-223
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1000+:￥1.881 500+:￥1.9998 100+:￥2.4354 30+:￥2.84 10+:￥3.23 1+:￥4.0 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 350 毫欧 @ 850mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 290 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |