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CSD87330Q3D
TI(德州仪器)
LSON-8(3.3x3.3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：2 个 N 通道（半桥），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A，不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA
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TI(德州仪器)
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LSON-8(3.3x3.3)
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1000+:￥2.9694 500+:￥3.1556 100+:￥3.5084 30+:￥4.19 10+:￥4.81 1+:￥6.03 |
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TI
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[ (DQZ), 8]
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100+:￥3.2017 1+:￥3.4927 |
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京北通宇
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TI(德州仪器)
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LSON-8(3.3x3.3)
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5000+:￥4.92487 1000+:￥4.99437 500+:￥5.06386 100+:￥5.12409 10+:￥5.18896 |
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硬之城
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德州仪器(TI)
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LSON-8(3.3x3.3)
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25000+:￥2.3045 5000+:￥2.4879 2500+:￥2.6188 800+:￥3.6663 200+:￥5.2376 10+:￥8.5242 |
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油柑网
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8-PowerLDFN
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2500+:￥3.21 1+:￥3.34 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 900pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 6W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerLDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:Philippines;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:2 |