咨询/建议
IRFH5302TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IRFH5302TRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
PQFN5X6
|
500+:￥2.05 100+:￥2.17 20+:￥2.62 1+:￥3.25 |
1000 |
18+/19+
|
在芯间
|
|
|
IRFH5302TRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
PQFN(5x6)
|
4000+:￥2.12 1+:￥2.21 |
988 |
22+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
IRFH5302TRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
PQFN-8(5x6)
|
4000+:￥2.2048 1+:￥2.2984 |
983 |
22+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
IRFH5302TRPBF
|
英飞凌(INFINEON)
|
QFN
|
40000+:￥2.3617 8000+:￥2.5496 4000+:￥2.6838 1000+:￥3.7573 300+:￥5.3676 10+:￥8.7358 |
8000 |
-
|
油柑网
|
|
|
IRFH5302TRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
PQFN-8(5x6)
|
4000+:￥2.2048 2000+:￥2.2984 1000+:￥2.4232 100+:￥2.6104 1+:￥3.1408 |
4988 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.1 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 76 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4400 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.6W（Ta），100W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |