TC6320TG-G
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥14.39
220
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:标准,漏源电压(Vdss):200V,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7 欧姆 @ 1A,10V,不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
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TC6320TG-G
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8

100+:¥14.39

30+:¥16.38

10+:¥18.13

1+:¥21.08

212

-
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TC6320TG-G
MICROCHIP(美国微芯)
SOP8

500+:¥10.296

100+:¥11.628

20+:¥13.23

1+:¥16.056

-1

15+
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MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8

3300+:¥12.0

1+:¥12.24

5

24+
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Microchip(微芯)
SOIC-8

3300+:¥12.48

1+:¥12.7296

4

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TC6320TG-G
Microchip
SOIC

4+:¥15.565

5

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