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HYG006N04LS1B6
HUAYI(华羿微)
TO-263-6
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：530A，导通电阻(RDS(on))：0.55mΩ@10V,80A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HYG006N04LS1B6
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HUAYI(华羿微)
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TO-263-6
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500+:￥5.61 100+:￥6.06 30+:￥7.46 10+:￥8.44 1+:￥9.99 |
780 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 530A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.55mΩ@10V,80A |