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FDD86110
onsemi(安森美)
DPAK(TO-252)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.5A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FDD86110
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ON(安森美)
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TO-252-3
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5000+:￥7.1221 1000+:￥7.2226 500+:￥7.3231 100+:￥7.4102 10+:￥7.504 |
9120 |
25+
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现货
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硬之城
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FDD86110
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onsemi(安森美)
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DPAK(TO-252)
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1000+:￥7.7973 500+:￥7.9 100+:￥8.1133 30+:￥8.6031 10+:￥9.0771 1+:￥9.8276 |
558 |
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立即发货
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立创商城
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FDD86110
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ON(安森美)
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DPAK(TO-252)
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2500+:￥8.008 1+:￥8.2888 |
496 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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FDD86110
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FAIRCHILD
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1+:￥11.0851 |
90 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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FDD86110
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On Semiconductor/Fairchild
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TO-252AA
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20000+:￥7.1456 10000+:￥7.2688 5000+:￥7.392 2500+:￥7.5152 |
12000 |
22+
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3-5工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12.5A（Ta），50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.2 毫欧 @ 12.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 35 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2265 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），127W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |