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DMTH3004LK3-13
DIODES(美台)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），75A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMTH3004LK3-13
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DIODES(美台)
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TO-252
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2500+:￥1.1245 500+:￥1.2367 150+:￥1.4885 50+:￥1.6903 5+:￥2.1612 |
2505 |
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立创商城
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Diodes(达尔)
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TO-252-3
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2500+:￥1.276 1250+:￥1.3288 100+:￥1.54 30+:￥1.9976 |
4317 |
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3天-15天
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唯样商城
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DIODES(美台)
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TO252
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2500+:￥1.45 1+:￥1.51 |
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5年内
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圣禾堂
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美台(DIODES)
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TO-252
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25000+:￥1.595 5000+:￥1.7219 2500+:￥1.8125 800+:￥2.5375 200+:￥3.625 10+:￥5.8997 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta），75A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 44 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | +20V，-16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2370 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |