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STD25N10F7
ST(意法半导体)
TO-252(DPAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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STD25N10F7
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ST(意法半导体)
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TO-252-3
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2500+:￥2.34 1+:￥2.44 |
1242 |
22+
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圣禾堂
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STD25N10F7
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意法半导体(ST)
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TO-252-2(DPAK)
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25000+:￥2.4239 5000+:￥2.6167 2500+:￥2.7544 800+:￥3.8562 200+:￥5.5088 10+:￥8.9656 |
17610 |
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油柑网
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STD25N10F7
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ST(意法半导体)
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TO-252-3
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2500+:￥2.4336 1+:￥2.5376 |
1234 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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STD25N10F7
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ST(意法半导体)
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TO-252(DPAK)
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1000+:￥2.71 500+:￥2.86 100+:￥3.14 30+:￥3.61 10+:￥4.09 1+:￥5.04 |
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立创商城
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STD25N10F7
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ST(意法半导体)
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TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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100+:￥2.959 20+:￥3.553 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 12.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 14 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 920 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 40W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |