STF14N80K5
ST(意法半导体)
TO-220FP
¥5.9
956
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):800 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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STF14N80K5
ST(意法半导体)
TO-220FP-3

1000+:¥5.9

1+:¥6.11

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STF14N80K5
ST(意法半导体)
TO-220FP

1000+:¥6.136

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STF14N80K5
意法半导体(ST)
TO-220FP-3

10000+:¥6.49

2000+:¥7.0063

1000+:¥7.375

500+:¥10.325

100+:¥14.75

10+:¥24.0056

184

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ST(意法半导体)
TO-220FP

100+:¥6.721

7+:¥7.931

184

-
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STF14N80K5
STMICROELECTRONICS
TO-220FP

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1+:¥10.2557

200

2202
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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 445 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 22 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 620 pF @ 100 V
功率耗散(最大值) 30W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包