咨询/建议
STB6NK90ZT4
ST(意法半导体)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：900 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
STB6NK90ZT4
|
ST(意法半导体)
|
SOT404
|
100+:￥4.11 30+:￥4.2998 10+:￥4.3631 1+:￥4.6795 |
190 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
STB6NK90ZT4
|
ST(意法半导体)
|
D2PAK
|
1000+:￥4.84 500+:￥5.016 100+:￥5.4 30+:￥6.928 10+:￥8.649 1+:￥11.35 |
1297 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
STB6NK90ZT4
|
意法半导体(ST)
|
TO-263-3
|
10000+:￥5.0236 2000+:￥5.4232 1000+:￥5.7086 500+:￥7.992 100+:￥11.4172 10+:￥18.5815 |
10462 |
-
|
油柑网
|
|
|
STB6NK90ZT4
|
ST(意法半导体)
|
TO-263-3
|
30+:￥8.66 10+:￥9.61 1+:￥11.35 |
1459 |
20+/21+
|
在芯间
|
|
|
STB6NK90ZT4
|
ST(意法半导体)
|
D2PAK-3
|
1000+:￥2.912 100+:￥3.0576 1+:￥3.8168 |
19 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 900 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 2.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 60.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1350 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |