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ZVP2106GTA
DIODES(美台)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：450mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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ZVP2106GTA
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DIODES(美台)
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SOT223
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1000+:￥1.85 1+:￥2.0 |
3535 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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ZVP2106GTA
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美台(DIODES)
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SOT-223-3
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10000+:￥1.98 2000+:￥2.1375 1000+:￥2.25 500+:￥3.15 100+:￥4.5 20+:￥7.3238 |
3535 |
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油柑网
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ZVP2106GTA
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Diodes(达尔)
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SOT-223-3
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1000+:￥2.035 50+:￥2.2 20+:￥2.86 |
3535 |
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3天-15天
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唯样商城
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ZVP2106GTA
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DIODES(美台)
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SOT-223
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30+:￥2.53 10+:￥2.57 1+:￥2.62 |
99 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 450mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 100 pF @ 18 V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |