咨询/建议
CSD18532Q5B
TI(德州仪器)
SON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
CSD18532Q5B
|
TI(德州仪器)
|
VSONP-8(5x6)
|
2500+:￥3.848 1+:￥4.004 |
430 |
22+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
CSD18532Q5B
|
TI(德州仪器)
|
SON-8(5x6)
|
100+:￥4.3 30+:￥5.38 10+:￥6.05 1+:￥7.27 |
399 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
CSD18532Q5B
|
TI(德州仪器)
|
8-VSONP(5x6)
|
100+:￥4.664 9+:￥5.599 |
501 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
CSD18532Q5B
|
TI(德州仪器)
|
VSON8
|
500+:￥13.71 100+:￥14.22 20+:￥14.91 1+:￥19.65 |
3200 |
21+/22+
|
在芯间
|
|
|
CSD18532Q5B
|
Texas Instruments
|
1000+:￥4.7211 500+:￥4.8912 100+:￥5.1038 |
5128 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.2 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 58 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5070 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），156W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:Philippines;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:2 |