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BSS123N H6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：190mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@10V,0.19A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSS123N H6327
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Infineon(英飞凌)
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PG-SOT-23-3
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3000+:￥0.299 1+:￥0.339 |
1101 |
5年内
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立即发货
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圣禾堂
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BSS123N H6327
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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3000+:￥0.31096 1+:￥0.35256 |
1098 |
5年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSS123N H6327
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-23
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30000+:￥0.3729 6000+:￥0.4026 3000+:￥0.4238 800+:￥0.5933 200+:￥0.8476 10+:￥1.3795 |
30000 |
-
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油柑网
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BSS123N H6327
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Infineon Technologies/IR
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SOT
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50+:￥0.2289 30+:￥0.231 20+:￥0.2352 10+:￥0.2625 |
144000 |
25+
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3-5工作日
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云汉芯城
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BSS123N H6327
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INFINEON TECHNOLOGIES
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SOT
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3000+:￥0.2556 300+:￥0.2786 100+:￥0.3041 30+:￥0.3348 10+:￥0.4063 1+:￥0.4907 |
5391 |
22+
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1-3工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 190mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,0.19A |