NX138AKMYL
Nexperia(安世)
SOT-883
¥0.1843
8,080
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
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封装
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NX138AKMYL
Nexperia(安世)
SOT-883

10000+:¥0.1843

5000+:¥0.1953

1000+:¥0.2175

300+:¥0.2677

100+:¥0.3064

10+:¥0.384

8080

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NX138AKMYL
Nexperia(安世)
SC-101,SOT-883

10000+:¥0.194

1+:¥0.214

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NX138AKMYL
Nexperia(安世)

10000+:¥0.1999

5000+:¥0.2299

2380+:¥0.2804

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 270mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.2 欧姆 @ 190mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 15 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 340mW(Ta),2.3W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-101,SOT-883