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PSMN4R8-100BSEJ
Nexperia(安世)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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PSMN4R8-100BSEJ
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Nexperia(安世)
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D2PAK
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800+:￥11.6914 500+:￥12.0344 100+:￥12.7988 30+:￥14.74 10+:￥16.41 1+:￥19.22 |
579 |
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立即发货
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立创商城
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PSMN4R8-100BSEJ
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安世(Nexperia)
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TO-263
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4000+:￥12.2146 800+:￥13.5718 |
680 |
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油柑网
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PSMN4R8-100BSEJ
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Nexperia(安世)
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SOT404
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800+:￥14.877 400+:￥17.1085 100+:￥20.8724 1+:￥27.5515 |
30 |
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3天-5天
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唯样商城
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MOS场效应管 PSMN4R8-100BSEJ TO-263(PSMN4R8-100BSEJ)
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Nexperia(安世)
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TO-263
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800+:￥21.221 100+:￥27.587 10+:￥31.832 1+:￥53.053 |
0 |
20+/21+
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在芯间
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PSMN4R8-100BSEJ
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Nexperia(安世)
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TO-263-3
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800+:￥22.6 1+:￥23.19 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.8 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 278 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 14400 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 405W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |