ASDM40N80Q-R
ASDsemi(安森德)
DFN5x6-8
¥0.5887
7,500
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):80A,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@10V
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渠道
ASDM40N80Q-R
ASDsemi(安森德)
DFN5x6-8

2500+:¥0.5887

500+:¥0.6511

150+:¥0.7912

50+:¥0.9036

5+:¥1.1656

3545

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ASDM40N80Q-R
ASDsemi(安森德)
DFN8_5X6MM

5000+:¥1.12

2000+:¥1.15

500+:¥1.2

300+:¥1.3

100+:¥1.4

1+:¥1.5

3955

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 80A
导通电阻(RDS(on)) 4.5mΩ@10V