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NTS4101PT1G
onsemi(安森美)
SOT-323
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.37A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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NTS4101PT1G
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ON(安森美)
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SC-70-3（SOT323）
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3000+:￥0.17 1+:￥0.192 |
9799 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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NTS4101PT1G
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ON(安森美)
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SC-70-3,SOT-323-3
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3000+:￥0.1768 1+:￥0.19968 |
9738 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NTS4101PT1G
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安森美(onsemi)
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SC-70-3
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30000+:￥0.187 6000+:￥0.2019 3000+:￥0.2125 800+:￥0.2975 200+:￥0.425 10+:￥0.6917 |
9744 |
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油柑网
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NTS4101PT1G
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ON(安森美)
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SC-70-3,SOT-323-3
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3000+:￥0.20463 1000+:￥0.20843 500+:￥0.21223 100+:￥0.21584 10+:￥0.2185 |
94845 |
23+
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现货
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硬之城
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NTS4101PT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-323
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6000+:￥0.2409 3000+:￥0.2568 500+:￥0.2886 150+:￥0.3284 50+:￥0.3814 5+:￥0.4874 |
200 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.37A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 9 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 840 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 329mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |