SIA469DJ-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK-SC-70-6-Single
¥0.655
35,891
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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PowerPAK® SC-70-6 单

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PowerPAK-SC70-6

3000+:¥0.6812

1+:¥0.7332

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SIA469DJ-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPAK® SC-70-6

3000+:¥0.7205

1500+:¥0.7755

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50+:¥1.155

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威世(VISHAY)
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30000+:¥0.7975

6000+:¥0.861

3000+:¥0.9063

800+:¥1.2688

200+:¥1.8126

10+:¥2.95

24988

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150+:¥1.2779

50+:¥1.4536

5+:¥1.8636

215

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 26.5 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 15 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1020 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 15.6W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6