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IPD200N15N3 G
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IPD200N15N3 G
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Infineon(英飞凌)
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TO-252(DPAK)
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500+:￥4.356 10+:￥5.7024 1+:￥6.96 |
294 |
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华秋商城
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IPD200N15N3 G
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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100+:￥4.4 30+:￥5.21 10+:￥5.94 1+:￥7.25 |
469 |
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立创商城
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IPD200N15N3 G
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英飞凌(INFINEON)
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PG-TO252-3
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12500+:￥7.7082 2500+:￥8.5647 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V |