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RV2C010UNT2L
ROHM(罗姆)
X2-DFN1006-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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RV2C010UNT2L
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ROHM(罗姆)
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SOT-883
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8000+:￥0.1698 1+:￥0.3736 |
1820 |
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3天-5天
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VML1006
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8000+:￥0.28 1+:￥0.305 |
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8000+:￥0.2912 1+:￥0.3172 |
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硬之城
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ROHM(罗姆)
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X2-DFN1006-3
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5000+:￥0.4068 2500+:￥0.4342 500+:￥0.5409 150+:￥0.6093 50+:￥0.7006 5+:￥0.8831 |
6235 |
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罗姆(ROHM)
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DFN1006-3
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40000+:￥0.4188 8000+:￥0.4653 4000+:￥0.6421 |
40000 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 470 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |