WNM4002-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-523
¥0.0948
50,420
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):300mA,导通电阻(RDS(on)):5Ω@1.8V
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WNM4002-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-523

3000+:¥0.0948

1+:¥0.12

12052

2年内
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WNM4002-3/TR
WillSemi(韦尔)
SOT-523

3000+:¥0.09859

1+:¥0.1248

11939

2年内
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WNM4002-3/TR
韦尔(WILLSEMI)
SOT-523-3

30000+:¥0.1042

6000+:¥0.1125

3000+:¥0.1185

800+:¥0.1659

100+:¥0.237

20+:¥0.3857

12052

-
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WillSemi(韦尔)
SOT-523

3000+:¥0.10877

1000+:¥0.11079

500+:¥0.11281

100+:¥0.11473

10+:¥0.11615

405

23+
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WILLSEMI(韦尔)
SOT-523

600+:¥0.1273

200+:¥0.1504

20+:¥0.192

1920

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 300mA
导通电阻(RDS(on)) 5Ω@1.8V